买卖IC网 >> 产品目录 >> IPD30N08S2L21 MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IPD30N08S2L21

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET
IPD30N08S2L21 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 75 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 30 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 20.5 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 IPD30N08S2L21
IPD30N08S2L-21
IPD30N10S3L-34
IPD320N20N3
IPD320N20N3 G
IPD320N20N3G
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  • IPD30N08S2L21 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价